根據(jù)美國安全與新興技術(shù)中心（CSET）近日發(fā)布的報(bào)告，要在美國新建一座晶圓廠，平均耗時(shí) 736 天，是全球第二慢的。
報(bào)告認(rèn)為拖慢建設(shè)進(jìn)度的主要原因是混亂而復(fù)雜的監(jiān)管政策，《芯片法案》不足以改善晶圓廠建設(shè)的成本和時(shí)間，并建議各級政府有必要進(jìn)行改革，讓美國趕上其它國家和地區(qū)。
IT之家注：CSET 調(diào)查了 1990 年至 2020 年間的晶圓廠建設(shè)情況，得出結(jié)論認(rèn)為，在這段時(shí)間內(nèi)建設(shè)的約 635 座晶圓廠中，從開始建設(shè)到投產(chǎn)的平均時(shí)間為 682 天。
其中韓國為 620 天，而日本則為 584 天。歐洲和中東的平均時(shí)間為 690 天，中國大陸為 701 天。
美國的天數(shù)為 736 天，遠(yuǎn)高于全球平均水平，僅次于東南亞的 781 天。
如果從特定的年代來看，情況就更糟糕了。在上世紀(jì) 90 年代和 2000 年代，美國的建設(shè)速度相當(dāng)快，平均建設(shè)時(shí)間約為 675 天。到了 10 年代，這個(gè)數(shù)字急劇增加到 918 天。
而中國大陸地區(qū)這十年間的發(fā)展速度要快得多，平均完工時(shí)間分別為 675 天。
當(dāng)然，美國制造的晶圓廠數(shù)量也在減少。上世紀(jì) 90 年代，美國建造了 55 座晶圓廠，2000 年代降至 43 座，10 年代又降至 22 座。
與此同時(shí)，中國的晶圓廠建設(shè)速度卻在大幅加快，從上世紀(jì) 90 年代的 14 座，到 2000 年代的 75 座，再到 10 年代的 95 座。盡管中國大陸在半導(dǎo)體技術(shù)方面仍處于追趕階段，但在晶圓廠建設(shè)方面無疑是一個(gè)巨無霸。
