據(jù)臺媒聯(lián)合報報道，9月5日，國際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會（SEMI）全球營銷長暨中國臺灣區(qū)總裁曹世綸表示，今年全球半導(dǎo)體設(shè)備總銷售額將由去年的1074億美元下滑18.6%至874億美元，并預(yù)測將于2024年出現(xiàn)反彈，再次回到1000億美元水準(zhǔn)。
曹世綸指出，半導(dǎo)體設(shè)備市場歷經(jīng)多年歷史性榮景后，今年進(jìn)入調(diào)整期，通過高性能計(jì)算和聯(lián)網(wǎng)商機(jī)，將可望于明年出現(xiàn)強(qiáng)勁反彈，對市場長期穩(wěn)健增長預(yù)測保持不變。從半導(dǎo)體設(shè)備銷售地區(qū)別來看，今、明年中國大陸、中國臺灣和韓國仍將穩(wěn)居全球設(shè)備支出前三大地區(qū)。中國臺灣預(yù)計(jì)先于今年領(lǐng)先，明年則由中國大陸重返榜首，大多數(shù)追蹤地區(qū)的設(shè)備支出走勢也都如出一轍，今年下跌，明年則重回成長曲線。
此前SEMI發(fā)布報告稱，2023年包括晶圓廠設(shè)備及后段封測設(shè)備銷售額將同步下滑，其中，晶圓廠設(shè)備銷售額將減少18.8%；封裝和測試設(shè)備銷售額分別減少20.5%及15%。受終端需求疲軟影響，晶圓代工及邏輯用設(shè)備銷售額將減少6%。SEMI指出，因消費(fèi)者和企業(yè)對存儲器需求低迷，動態(tài)隨機(jī)存取存儲器（DRAM）設(shè)備銷售額將減少28%，閃存存儲器（NAND Flash）設(shè)備銷售額將減少51%。
