5 月 4 日消息，據(jù) Hankyung 報道，三星半導體今天早些時候在 KAIST（韓國科學技術(shù)院）舉行了一場演講，三星設(shè)備解決方案部門總裁 Kye Hyun Kyung 提出了三星半導體將趕上競爭對手臺積電的未來愿景。
Kye Hyun Kyung 承認三星的代工技術(shù)“落后于臺積電”。他解釋說，三星的 4nm 技術(shù)比臺積電落后大約兩年，而其 3nm 工藝則比臺積電落后大約一年。
不過，Kye Hyun Kyung 也表示，但等到 2nm 就會發(fā)生變化，并大膽預測：“我們可以在五年內(nèi)超越臺積電�！�
三星可能在未來五年內(nèi)跑贏臺積電的想法，源于三星打算從 3nm 制造工藝開始使用 Gate All Around（GAA）技術(shù)。相比之下，臺積電在達到 200 萬產(chǎn)量之前不會使用 GAA。
GAA 是一種生產(chǎn)工藝，可以使三星生產(chǎn)出比臺積電目前使用的工藝更�。�45%）、能耗更低（50%）的芯片。Kye Hyun Kyung 稱“客戶對三星電子的 3nm GAA 工藝的反映很好”。
Kye Hyun Kyung 還表示，三星預計存儲半導體在開發(fā) AI 服務器方面將變得更加重要，并超過英偉達 GPU，并稱三星將“確保以存儲器半導體為中心的超級計算機能夠在 2028 年問世”。
據(jù)IT之家此前報道，近期三星稱，其 4nm 芯片制程良率已改善、接近 5nm 的水準，下一代 4nm 制程將提供更高的良率。
業(yè)內(nèi)消息人士透露，美國芯片巨頭 AMD 公司已經(jīng)選擇了三星電子作為其 4nm 處理器的合作伙伴。此外，谷歌公司也將委托三星電子生產(chǎn)其 Pixel 8 智能手機的 Tensor 3 芯片，采用三星電子第三代 4nm 工藝節(jié)點。
