12 月 11 日消息，中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)《聯(lián)合報(bào)》報(bào)道稱，臺(tái)積電正在熊本縣建設(shè)的第一工廠將于明年 2 月下旬舉行開(kāi)業(yè)典禮，二季度（4 至 6 月）進(jìn)入生產(chǎn)籌備的最終階段。
報(bào)道稱，開(kāi)業(yè)典禮除魏哲家到場(chǎng)外，日本政府高官也將出席，可能會(huì)正式公布目前正探討的在該縣建設(shè)第二工廠的計(jì)劃。
公開(kāi)資料顯示，臺(tái)積電熊本第一工廠計(jì)劃生產(chǎn) 12/16 nm 和 22/28 nm 這類成熟制程的半導(dǎo)體。臺(tái)積電 CEO 魏哲家 10 月披露財(cái)報(bào)時(shí)表示該工廠預(yù)計(jì)在明年年底開(kāi)始量產(chǎn)，日本政府已決定向第一工廠提供最多 4760 億日元（IT之家備注：當(dāng)前約 236.1 億元人民幣）的補(bǔ)貼。此外，臺(tái)積電還計(jì)劃在熊本縣建造第二家工廠來(lái)生產(chǎn) 5nm 芯片。
彭博社前段時(shí)間還報(bào)道稱，臺(tái)積電已告知供應(yīng)鏈合作伙伴，稱其正考慮在熊本縣建設(shè)第三座芯片工廠，生產(chǎn)先進(jìn) 3 納米芯片，項(xiàng)目代號(hào)臺(tái)積電 Fab-23 三期。
知情人士表示，目前尚不清楚何時(shí)開(kāi)建第三工廠，不過(guò)等到新工廠量產(chǎn)時(shí)，3nm 可能已經(jīng)落后屆時(shí)最新技術(shù) 1-2 個(gè)世代。
