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表征微型和超微型LED的主要考量因素

2024年8月29日 16:11  CCTIME飛象網(wǎng)  作 者:Gobinath Tamil Vanan

作者:是德科技產(chǎn)品營(yíng)銷經(jīng)理Gobinath Tamil Vanan

由于發(fā)光二極管(LED) 具備能效高、壽命長(zhǎng)、用途廣等優(yōu)勢(shì),因此在各種應(yīng)用中廣受歡迎,正如圖1所示,可應(yīng)用在家庭、辦公室、汽車和電子顯示屏等應(yīng)用場(chǎng)景中。LED技術(shù)不斷進(jìn)步,以滿足不斷發(fā)展的需求。這種進(jìn)步包括集成先進(jìn)功能,如智能照明與物聯(lián)網(wǎng)(IoT)技術(shù),以及通過提高發(fā)光效率、熱量管理和整體性能來提高LED照明或指示燈的效率。此外,顯示技術(shù)的不斷發(fā)展旨在提高LED顯示器(如由數(shù)千個(gè)LED組成的迷你和微型LED)的對(duì)比度、能效和分辨率。

與有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)和液晶顯示器(LCD)技術(shù)相比,微型LED亮度、效率以及集成傳感器等附加功能方面更具優(yōu)勢(shì)。然而,由于其生產(chǎn)成本高、技術(shù)復(fù)雜,其應(yīng)用主要局限于增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)(AR)/虛擬現(xiàn)實(shí)(VR)顯示器、汽車照明和透明顯示器等利基市場(chǎng)。這些改進(jìn)推動(dòng)了對(duì)用于評(píng)估LED特性的測(cè)量系統(tǒng)的需求不斷增長(zhǎng)。

圖1.各種應(yīng)用領(lǐng)域中的LED

LED的主要電氣特性

在開發(fā)或制造LED時(shí),了解其電氣、光學(xué)和光-電流-電壓(LIV)特性對(duì)確保最佳性能和功能至關(guān)重要。了解電氣特性可確保LED在規(guī)定的電壓和電流范圍內(nèi)工作,這對(duì)電路設(shè)計(jì)至關(guān)重要。反之,光學(xué)特性則有助于深入了解發(fā)光質(zhì)量,包括亮度、色彩精度和分布。LIV特性為了解光輸出、電流和電壓之間的關(guān)系提供了寶貴的信息,有助于優(yōu)化操作參數(shù)以提高能效。表1列出了LED的電氣特性;圖2顯示了IV特性和熱特性。

表1.LED的主要電氣特性

VF:正向電壓

正向電壓是打開LED所需的電壓。評(píng)估時(shí),施加IF(正向電流)并測(cè)量電壓VF。

IR:反向電流

反向電流是指反向偏壓下的泄漏電流。電流通常較小,例如小于1 µA;然而,這取決于LED的類型。為進(jìn)行評(píng)估,施加VR(反向電壓)并測(cè)量電流IR。

IV曲線

正向和反向偏壓下的IV曲線表明了在不同操作條件下的行為。評(píng)估時(shí),可掃描電壓(或電流)并測(cè)量電流(或電壓)。在大電流下進(jìn)行正向特性分析時(shí),與直流掃描不同,脈沖掃描可防止自熱效應(yīng)。

熱特性

熱管理非常重要,因?yàn)樗兄跍p緩解LED p-n結(jié)產(chǎn)生的熱量。為了準(zhǔn)確描述這種熱行為,需要施加長(zhǎng)脈沖電流并測(cè)量瞬態(tài)電壓。

圖2.LED的電流-電壓和熱特性

使用光源/測(cè)量裝置進(jìn)行LED特性分析

LED測(cè)試通常使用源/測(cè)量單元(SMU)來進(jìn)行各種測(cè)試,包括作為精確的IV源和測(cè)量工具來評(píng)估電氣特性。源/測(cè)量單元還可用作精密偏置源,用于評(píng)估與光學(xué)儀器同步的光學(xué)和LIV特性。SMU是一種多功能儀器,集電流源、電壓源、電流表和電壓表的功能于一身。SMU可在這些功能之間無縫切換,并準(zhǔn)確測(cè)量電流和電壓輸出。

內(nèi)部反饋電路使SMU即使在負(fù)載條件發(fā)生意外變化時(shí)也能保持穩(wěn)定性和準(zhǔn)確性。這種可靠性使SMU成為表征LED等半導(dǎo)體器件的首選工具。圖3展示了一個(gè)典型的設(shè)置,說明SMU如何與光學(xué)儀器同步,作為精密偏置源進(jìn)行光學(xué)和光電流-電壓特性分析。

圖3.典型的LED表征設(shè)置

然而,隨著LED技術(shù)的進(jìn)步以滿足日益增長(zhǎng)的需求,LED設(shè)備和應(yīng)用(如迷你和微型LED)的發(fā)展需要SMU能夠滿足日益嚴(yán)格的要求。

挑戰(zhàn)

以下是工程師為實(shí)現(xiàn)精確測(cè)試必須克服的主要挑戰(zhàn)。主要挑戰(zhàn)包括空間和密度限制、精度要求和系統(tǒng)開發(fā)復(fù)雜性。

挑戰(zhàn)1:SMU的數(shù)量和空間需求不斷增加

為了有效評(píng)估每個(gè)由數(shù)千個(gè)LED組成的微型或小型LED,需要大量SMU通道和充足的空間,因此需要進(jìn)行并行IV測(cè)試。在對(duì)多個(gè)LED進(jìn)行耗時(shí)測(cè)試時(shí),這種方法還能有效提高測(cè)試吞吐量。不過,并行IV測(cè)試雖然能提高測(cè)試吞吐量,但也需要SMU 提供充足的空間。

挑戰(zhàn)2:測(cè)量?jī)x器性能要求

隨著對(duì)先進(jìn)LED的需求不斷增長(zhǎng),對(duì)精的要求也越來越高,尤其是在低電流、脈沖或瞬態(tài)測(cè)量中。在測(cè)試小電流、低反向電流時(shí),精確的靈敏度至關(guān)重要,以防止噪聲干擾這些測(cè)量。窄脈沖IV不足會(huì)因自熱而影響正向特性。此外,在脈沖IV或熱測(cè)試期間,有限的瞬態(tài)測(cè)量能力可能會(huì)妨礙捕捉電流或電壓瞬態(tài)。有些SMU集成了內(nèi)置脈沖發(fā)生器和數(shù)字轉(zhuǎn)換器。然而,它們的性能可能無法滿足所需要求。在這種情況下,就必須使用外部脈沖發(fā)生器或數(shù)字轉(zhuǎn)換器。

挑戰(zhàn)3:測(cè)試序列和物理連接的復(fù)雜性不斷增加

在進(jìn)行同步光學(xué)測(cè)試時(shí),或在進(jìn)行脈沖或瞬態(tài)測(cè)量時(shí),內(nèi)部或外部脈沖發(fā)生器和數(shù)字轉(zhuǎn)換器之間需要在光學(xué)儀器和SMU之間實(shí)現(xiàn)精確同步。這些要求導(dǎo)致儀器控制和布線復(fù)雜性增加。隨著SMU通道數(shù)量的增加,精確同步變得更加重要。從測(cè)試軟件開發(fā)的角度來看,整個(gè)測(cè)試設(shè)置的自動(dòng)化進(jìn)一步增加了復(fù)雜性。

解決方案

為了克服LED IV測(cè)試中的多方面挑戰(zhàn),工程師必須尋找一種能夠應(yīng)對(duì)所有這些挑戰(zhàn)的多功能光源/測(cè)量單元。以下是為L(zhǎng)ED測(cè)試選擇SMU時(shí)需要考慮的三大因素,它們是應(yīng)對(duì)每項(xiàng)挑戰(zhàn)的關(guān)鍵。

解決方案1: 采用高密度緊湊型SMU

憑借高通道密度SMU外形,工程師可以節(jié)省寶貴的機(jī)架空間,最大限度地減少測(cè)試系統(tǒng)的占地面積。外形尺寸應(yīng)側(cè)重于通道數(shù)量以及配置SMU通道類型和規(guī)格的靈活性。一些靈活的SMU允許任何混合模塊配置,以實(shí)現(xiàn)靈活的可擴(kuò)展性。

解決方案2: 使用高精度SMU

有些SMU設(shè)計(jì)有超高精度功能,可在從反向偏壓到正向偏壓的整個(gè)LED偏置范圍內(nèi)進(jìn)行精確的IV特性分析。特別是對(duì)于大功率LED,SMU的窄脈沖功能可在進(jìn)行IV特性分析的同時(shí)最大限度地減少自熱。

在熱測(cè)試中,速度更快的數(shù)字化儀和靈活的觸發(fā)系統(tǒng)可以捕捉熱引起的瞬態(tài),從根本上消除器件自熱或噪聲問題引起的任何測(cè)量誤差。圖4是正向和反向偏置電壓的IV曲線掃描示例。圖5顯示了脈沖瞬態(tài)響應(yīng)方法,以最大限度地減少器件自熱效應(yīng)。

圖4.帶有正向和反向偏置的LED的IV曲線

圖5.利用脈沖IV特性最大限度地減少器件自熱

解決方案#3:采用帶有智能觸發(fā)系統(tǒng)的SMU

帶有智能觸發(fā)系統(tǒng)的單箱解決方案可簡(jiǎn)化儀器控制,并使每個(gè)SMU和外部光學(xué)儀器的布線實(shí)現(xiàn)同步。集成了脈沖發(fā)生器和數(shù)字轉(zhuǎn)換器功能的一體化SMU可有效減少所需的測(cè)試儀器和系統(tǒng)占地面積。該系統(tǒng)無需額外的布線和手動(dòng)同步需求,從而解決了在小空間內(nèi)進(jìn)行并行IV測(cè)試的難題。

結(jié)論

Micro-LED技術(shù)不斷進(jìn)步,但在成為主流技術(shù)之前仍面臨著需要解決的重大障礙。隨著各種應(yīng)用對(duì)微型LED的需求不斷增長(zhǎng),制造商在精密IV測(cè)試解決方案方面面臨著多重挑戰(zhàn)。要克服這些挑戰(zhàn)并在不斷增長(zhǎng)的LED市場(chǎng)中獲得競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì),為IV測(cè)試解決方案選擇正確的SMU非常重要。合適的SMU可以成為應(yīng)對(duì)IV表征挑戰(zhàn)的工具,包括光學(xué)測(cè)試中的密度、精度、同步和偏。多功能、高精度的SMU對(duì)確保LED的可靠性和高性能至關(guān)重要。

編 輯:魏德齡
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