5 月 6 日消息，市場分析機(jī)構(gòu) TrendForce 集邦咨詢今日發(fā)布研報(bào)，表示 2025 年 HBM 內(nèi)存市場將繼續(xù)繁榮，產(chǎn)能和市場份額都將進(jìn)一步提升。
研報(bào)指出，2023 年 HBM 在整體 DRAM 內(nèi)存中的位元產(chǎn)出占比僅有 2%，今年有望成長到 5%，明年更將跨越 10% 節(jié)點(diǎn)；
而在市場份額方面，去年 HBM 占整體 DRAM 的 8%，今年將達(dá) 21%，2025 年有望成長到超過三成。
TrendForce 的數(shù)據(jù)顯示，目前 HBM 同傳統(tǒng) DDR5 內(nèi)存的價(jià)差約為五倍，同時(shí) HBM3e 內(nèi)存 TSV 工藝的良率目前僅有 40~60%。
研報(bào)表示，供需雙方今年二季度已開始就 2025 年的 HBM 訂單進(jìn)行初步價(jià)格談判；另據(jù)IT之家此前報(bào)道，美光、SK 海力士今年的 HBM 產(chǎn)能已經(jīng)售罄。
受限于整體 DRAM 產(chǎn)能有限，HBM 內(nèi)存供應(yīng)商初步調(diào)升了 5~10% 定價(jià)，覆蓋 HBM2e、HBM3、HBM3e 品類。
目前 HBM 買家仍對(duì) AI 前景保持高度信心，愿意接受價(jià)格的進(jìn)一步上漲；而在供應(yīng)商方面，未來各廠商的 HBM 內(nèi)存單價(jià)將受可靠性和供應(yīng)能力影響，存在出現(xiàn)價(jià)差并影響獲利的可能。
展望 2025 年，HBM 內(nèi)存的重心將轉(zhuǎn)向 12 層堆疊和 HBM3e 品類，帶動(dòng) HBM 芯片平均單堆棧容量的提升。2024 年 HBM 內(nèi)存需求量已增長近 200%，明年有望再次翻倍。
