近期，聯(lián)蕓科技(杭州)股份有限公司展示了其自主研發(fā)的兩款DRAMLess 架構PCIe 5.0 固態(tài)硬盤(SSD)主控芯片——MAP1802和MAP1806，這標志著該公司在高性能數(shù)據(jù)存儲主控芯片和解決方案領域又邁出了重要一步。這兩款最新發(fā)布的主控芯片面向消費級和工控級應用市場，體現(xiàn)了聯(lián)蕓科技在技術創(chuàng)新和性能提升方面的最新成果。
聯(lián)蕓MAP1802是一款面向新一代OEM平臺全新研發(fā)的PCIe 5.0架構的Dramless 主控芯片，采用聯(lián)蕓科技自研的第四代Agile ECC技術，提供先進的糾錯以及自適配功能，為固態(tài)硬盤(SSD)產品提供更佳的可靠性和耐用性。該芯片可適配當前市場上各種最新主流閃存顆粒，兼容ONFI5.1和Toggle5.0接口，支持8CHX4CE，閃存接口速率高達4800MT/s�；贛AP1802設計的PCIe5.0 固態(tài)硬盤(SSD),最大可支持8TB容量。
除此之外，MAP1802封裝尺寸僅為8.7mm×11.8mm，并采用新一代自適應功耗管理技術及獨特的閃存功耗管理技術，休眠功耗小于1毫瓦，運行功耗接近2瓦，為PCIe Gen5 固態(tài)硬盤(SSD)進入筆電市場提供了可能。具體來看，MAP1802順序讀取速度可達14800MB/s，順序寫入速度最高為14200MB/s，隨機讀取速度可達3200K IOPS，隨機寫入速度為3000K IOPS。這一性能表現(xiàn)，使得它有望成為高性能筆記本電腦市場的理想選擇。
同時，聯(lián)蕓科技還展出了另一款高端消費級/工控級的PCIe 5.0 NVMe 固態(tài)硬盤(SSD)主控芯片MAP1806。該芯片采用DRAMLess 架構，支持PCIe Gen5x4、NVMe 2.0標準，兼容ONFI5.1 /Toggle 5.0，同樣支持聯(lián)蕓科技自研第四代Agile ECC技術，封裝尺寸為11mm×14.5mm。與MAP1802不同，MAP1806采用8CH*4CE通道設計，可最大支持16TB容量的PCIe Gen5固態(tài)硬盤(SSD)產品;閃存接口速率為3600MT/s，但讀寫性能同樣出色，可達14800MB/s、14000MB/s，3500K IOPS、3000K IOPS。
聯(lián)蕓科技在PCIe5.0主控芯片性能上的突破和創(chuàng)新，得益于其在軟硬件協(xié)同創(chuàng)新設計上的持續(xù)深耕。公司通過將部分復雜的軟件算法硬件化，有效降低了主控芯片對CPU和MEMORY空間的依賴，實現(xiàn)了性能、功耗和成本三者的平衡。此外，聯(lián)蕓科技的閃存接口控制器基于私有的閃存命令指令集，采用自研的閃存接口專用處理器，極大提升了閃存接口的有效利用率，從而不斷提升產品讀寫速度等性能指標。
隨著MAP1802、MAP1806等面向消費級/工控級和行業(yè)級應用的主控芯片的推出，聯(lián)蕓科技為市場帶來了更多的選擇和更高的性能標準。與此同時，聯(lián)蕓科技在固態(tài)硬盤(SSD)主控芯片領域的布局日益完善，已經完成了從SATA到PCle 5.0固態(tài)硬盤(SSD)產品布局，實現(xiàn)了消費級、企業(yè)級、工業(yè)級固態(tài)硬盤(SSD)等應用的全面覆蓋。
聯(lián)蕓科技以其出色的產品性能表現(xiàn)、完善的產品布局及豐富的行業(yè)應用，多次刷新行業(yè)性能記錄，受到業(yè)界重量級客戶認可，確立了其在固態(tài)硬盤(SSD)主控芯片技術領域的領導地位，也為整個行業(yè)的技術進步和產品創(chuàng)新樹立了新的標桿。
